Informace o projektu
Nukleace a růst kyslíkových precipiátů v křemíku
- Kód projektu
- GA202/09/1013
- Období řešení
- 1/2009 - 12/2011
- Investor / Programový rámec / typ projektu
-
Grantová agentura ČR
- Standardní projekty
- Fakulta / Pracoviště MU
-
Přírodovědecká fakulta
- Mgr. Mojmír Meduňa, Ph.D.
- doc. RNDr. Zdeněk Bochníček, Dr.
- doc. Mgr. Ondřej Caha, Ph.D.
- Alan Kuběna
- doc. RNDr. Josef Kuběna, CSc.
- doc. RNDr. Petr Mikulík, Ph.D.
- Klíčová slova
- nukleace, precipitace, křemík
- Spolupracující organizace
-
Ústav fyziky materiálů AV ČR, v. v. i.
- Odpovědná osoba RNDr. Milan Svoboda, CSc.
Publikace
Počet publikací: 18
2009
-
Analysis of vacancy and interstitial nucleation kinetics in Si wafers during rapid thermal annealing
J.Phys.: Condens. Matter, rok: 2009, ročník: 21, vydání: 10
-
Homogenization of CZ Si wafers by Tabula Rasa annealing
Physica B condensed matter, rok: 2009, ročník: 404, vydání: 23-24
-
Homogenization of CZ Si wafers by Tabula Rasa annealing
Rok: 2009, druh: Konferenční abstrakty
-
Interdiffusion in Ge rich SiGe/Ge multilayers studied by in situ diffraction
Physica stat.sol.(a), rok: 2009, ročník: 206, vydání: 8
-
Towards limits of x-ray specular reflectivity
Materials Structure in Chemistry, Biology, Physics and Technology, rok: 2009, ročník: 16, vydání: 2a
-
Vacancies and self-interstitials dynamics in silicon wafers
Solid State Phenomena, rok: 2009, ročník: Neuveden, vydání: 156-158
-
X-ray diffraction on precipitates in Czochralski-grown silicon
Physica B condensed matter, rok: 2009, ročník: 404, vydání: 23-24
-
X-ray diffraction on precipitates in Czochralski-grown silicon
Rok: 2009, druh: Konferenční abstrakty